Show simple item record

dc.contributor.advisorErts, Donātsen_US
dc.contributor.authorMeija, Raimondsen_US
dc.contributor.otherLatvijas Universitāte. Fizikas un matemātikas fakultāteen_US
dc.date.accessioned2015-03-24T07:06:34Z
dc.date.available2015-03-24T07:06:34Z
dc.date.issued2009en_US
dc.identifier.other12571en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.lu.lv/dspace/handle/7/17527
dc.description.abstractNanoelektromehāniskās sistēmas (NEMS) ir perspektīvas pielietošanai spēka un masas sensoros. Lai arī ar NEM ierīcēm ir nosvērti individuāli atomi, nav demonstrēta kontrolēta masas uznešana uz aktīvā elementa, kas ļautu nosvērt objektus kvalitatīvi. Spēka kontrole ir arī nepieciešama NEM slēdžos, kuru darbību nosaka eletriskie, adhēzijas un van der Vālsa spēki. Šajā darbā tika pētītas Ge un ZnO nanovadu īpašības, lai noteiktu to izmantošanas robežas.Tika izveidota sistēma in situ mērījumu veikšanai skenējošā elektronu mikroskopā. Tika noteikts ZnO nanovadu Junga modulis un tā atkarība no nanovada diametra. Izpētītas Ge nanovadu elektriskās īpašības un to degradācijas parametri. Novērota kritiskās strāvas blīvuma atkarība no to aptverošā oksīda slāņa biezuma. Apspriests iespējamais nanovadu degradācijas mehānisms.en_US
dc.description.abstractNanoelectromechanical systems (NEMS) are perspective in force and mass sensor applications. Despite the fact, that with NEM devices the mass of individual atoms has been measured, a controled transfer of mass onto the active element that would allow a qualitative mass measurement has not been shown. Force control is also needed in NEM switches, whose behaviour depends on electric, adhesion and van der Waals forces.The properties of Ge and ZnO nanowires have been investigated to determine the boundaries of their application. A system was made for in situ measurments in scanning electron microscope. The Young’s modulus dependance on ZnO nanowires diameter was determined. The Ge nanowire’s critical current density’s dependance on the width of the surface layer was observed. The potential degradation mechanism of Ge nanowires was discussed.en_US
dc.language.isoN/Aen_US
dc.publisherLatvijas Universitāteen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectFizikaen_US
dc.titlePusvadītāju nanovadi izmantošanai spēka un masas sensorosen_US
dc.title.alternativeSemiconductor Nanowires for Application in Force and Mass Sensorsen_US
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisen_US


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record