• English
    • Latviešu
    • Deutsch
    • русский
  • Help
  • English 
    • English
    • Latviešu
    • Deutsch
    • русский
  • Login
View Item 
  •   DSpace Home
  • A2 – LU disertācijas / Doctoral theses UL
  • Promocijas darbi (2007-) / Theses PhD
  • View Item
  •   DSpace Home
  • A2 – LU disertācijas / Doctoral theses UL
  • Promocijas darbi (2007-) / Theses PhD
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Magnētisko lauku ietekmes uz kausējuma kustību 3D skaitliskā modelēšana peldošās zonas kristālu audzēšanas procesam

Thumbnail
View/Open
32584-Kaspars_Lacis_kopsavilkums_2010.pdf (6.523Mb)
Author
Lācis, Kaspars
Co-author
Latvijas Universitāte. Fizikas un matemātikas fakultāte
Advisor
Muižnieks, Andris
Date
2010
Metadata
Show full item record
Abstract
Anotācija Darbs ir veltīts šķidruma kustības, temperatūras lauka un piemaisījumu pārneses trīsdimensionālai (3D) nestacionārai matemātiskajai modelēšanai izkusušajā zonā industriālajam peldošās zonas (PZ) silīcija monokristālu audzēšanas procesam ar papildus pieliktiem maiņstrāvas un līdzstrāvas magnētiskajiem laukiem. Šiem mērķiem ir izveidota noslēgta matemātisko modeļu un bezmaksas programmatūras sistēma. Ir veikta kausējuma kustības ietekmes uz īpatnējās pretestības sadalījumu izaudzētā kristālā maiņstrāvas un līdzstrāvas magnētisko lauku klātbūtnē 3D nestacionāra modelēšana. Tika pētīts nestacionārs kausējuma ātruma un kristāla augšanas ātruma fluktuāciju process kristalizācijas frontes tuvumā. Tika analizēta šo fluktuāciju ietekme uz piemaisījumu segregāciju un tādejādi uz īpatnējās pretestības izkliedi izaudzētajā kristālā. Atslēgas vārdi: matemātiskā modelēšana, silīcija monokristāli, magnētiskais lauks
 
Abstract This work is devoted to three dimensional (3D) unsteady mathematical modeling of fluid motion, temperature field and dopant transport in molten zone of industrial floating zone (FZ) silicon single crystal growth process with additionally applied AC and DC magnetic fields. For these purposes a complete system of mathematical models and license free software is developed. The 3D unsteady modeling of the influence of the melt motion on distribution of resistivity in the grown crystal in the presence of AC and DC magnetic fields is performed. The unsteady melt velocity and crystal growth velocity fluctuation process near the crystallization interface is studied. The influence of these fluctuations on the dopant segregation and consequently the dispersion of the resistivity in the grown crystal is analyzed. Keywords: mathematical modeling, silicon single crystals, magnetic field
 
URI
https://dspace.lu.lv/dspace/handle/7/5185
Collections
  • Promocijas darbi (2007-) / Theses PhD [1374]

University of Latvia
Contact Us | Send Feedback
Theme by 
@mire NV
 

 

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjects

My Account

Login

Statistics

View Usage Statistics

University of Latvia
Contact Us | Send Feedback
Theme by 
@mire NV