Rekristalizēta amorfa silīcija plāno kārtiņu struktūru veidošanās likumsakarības

Abstract

Mūsdienas ļoti liela uzmanība tiek pievērsta saules enerģijai. Polikristāliskais silicijs ir uzskatīts par piemērotu materiālu saules baterijām. Lai izgatavotu lielu-graudu polikristālisku siliciju, ir vajadzīga noteikta piemērota kristalizācijas metode. Šajā darbā tika izmantotas divas kristalizācijas metodes – lāzera kristalizācija un termiska kristalizācija. Šī darba mērķis ir izpētīt, kā graudu izmērs un daudzums ir atkarīgi no apdedzināšanas temperatūras un lāzera jaudas kristalizācijas procesā. Tika kristalizēta tīra amorfa silicija uzputināta uz oksidētā silicija plāksnes (111) virsmas (SiO2) plāna kartiņa. Ramana spektrs parāda ka viena impulsa ar enerģijas blīvumu 206 mJ/cm-1 ir pietiekami, lai sāktos kristalizācijas process. Savukārt termiskas kristalizācijas process sākas pie 7000C lielas temperatūras.

Nowadays solar energy becomes very popular. Polycrystalline silicon is viewed as an attractive material for solar cells. To produce large-grain polycrystalline silicon, it is required to find an appropriate crystallization method. Here were used two crystallization methods – laser crystallization and thermal crystallization in this work. The purpose of this work is to investigate the grain size and quantity dependendence of the anealling temperature and laser energy. Pure amorphous Si thin films deposited on oxidized crystalline Si surface (111) were crystallized. The Raman scattering spectra show that pulse energy of 206 mJ/cm2 is enough to start crystallization process. Meanwhile thermal crystallization process starts at 7000C.