Показать сокращенную информацию

dc.contributor.advisorMuzikante, Intaen_US
dc.contributor.authorPudžs, Kasparsen_US
dc.contributor.otherLatvijas Universitāte. Fizikas un matemātikas fakultāteen_US
dc.date.accessioned2015-03-24T07:06:45Z
dc.date.available2015-03-24T07:06:45Z
dc.date.issued2011en_US
dc.identifier.other19632en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.lu.lv/dspace/handle/7/17580
dc.description.abstractVeidojot organiskās gaismu emitējošās diodes, ir nepieciešams izpētīt šo vielu plāno kārtiņu elektriskās īpašības un enerģētisko struktūru. Galvenokārt organiskie savienojumi ir raksturīgi ar izteiktu caurumu vadītspēju, tāpēc aktuāli ir organiskie savienojumu ar bipolārām īpašībām. Vieni no šādiem bipolāriem materiāliem ir karbazola atvasinājumi. Darbā tiek apskatītas divu oriģinālu karbazola atvasinājumu (JS97 un JS100) elektriskās īpašības, kas pētītas ar telpas lādiņa ierobežoto strāvu metodi (TLIS). Tas ļauj novērtēt lādiņnesēju injekcijas apstākļus, kā arī lādiņnesēju lamatu enerģētisko sadalījumu. Pētījumos izmantota gan no šķīduma pagatavota kārtiņa ar biezumu 0,5Ām, gan sublimētas kārtiņas ar biezumu no 0,5 līdz 0,9 Ām. Kā elektrodi ir izmantoti ITO, Au, Pd, Al un Cu slāņi. Ir zināms, ka no ITO, Au, Pd, Cu elektrodiem JS97 un JS100 kārtiņā var injicēt caurumus, bet no Al – elektronus.en_US
dc.description.abstractIt is necessary to study electrical properties and energy structure of organic layer in design of the organic light emitting diode structure. Bi-polar organic material (electron and hole mobility is of same order) is very important for organic light emitting diodes (OLED). Carbazole derivatives are one of them. In this work, we have studied electrical properties and energy structure of novel carbazole derivatives (JS97 and JS100) thin films. The organic films were prepared by spin-coating method with the thickness of the order of 0.5Ām and vacuum evaporating method with the thickness of order of 0.5 to 0.9 Ām. It allows applying space charge limited current (SCLC) method to characterise charge carrier injection and energy distribution of traps in the thin films. For injection of holes ITO, Au, Pd, Cu electrodes and for injection of electrons Al electrodes were applied.en_US
dc.language.isoN/Aen_US
dc.publisherLatvijas Universitāteen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectFizikaen_US
dc.titleKarbazola atvasinājumu plāno kārtiņu enerģētisko līmeņu noteikšana gaismas emitējošo diožu struktūrāsen_US
dc.title.alternativeDetermination of energetic levels of thin films with carbazole derivatives in light emitting diode structureen_US
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisen_US


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию