III grupas nitrīdu plāno kārtiņu spektrālās īpašības

Abstract

Pusvadītājos, ievadot piemaisījumus, aizliegtajā zonā veidojas lokāli elektronu un caurumu stāvokļi. Šajā gadījumā elektroni un caurumi pēc ierosināšanas tiek saķerti uz donoru akceptoru piemaisījumiem. Pārejas starp šiem stāvokļiem raksturojas ar atšķirīgu spektrālo sastāvu. Pusvadītāju lokālo stāvokļu enerģētisko struktūru raksturo šo materiālu luminiscences spektrs. Darba uzdevums ir izpētīt leģēšanas ietekmi uz donoru un akceptoru stāvokļu veidošanos AlxGax-1N (0<x<0,40) plānās kārtiņās, kas audzētas uz GaN buferslāņa, tās leģējot ar silīciju(0,01%). Neleģētā Al0.39Ga0.61N novērotais fotoluminiscences spektrs liecina, ka elektronu pārejas notiek donoru akceptoru pāros. Leģētajā Al0.36Ga0.64N:Si novērotais fotoluminiscences spektrs liecina, ka Si katjoni ievieš jaunus akceptoru līmeņus.

Introducing impurities in semiconductors leads to formation of local electron and hole states in the band gap. In this case electrons and holes are captured by the donor and acceptor impurities. Transitions between these states are characterized by their photoluminescence spectrum. The aim of this work was to study the influence of doping on donor acceptor state formation in AlxGax-1N (0<x<0,40) thin films, grown on GaN buffer layer, doping with silicon. The undoped Al0.39Ga0.61N photoluminescence spectrum shows that electron transitions occur in donor acceptor pairs. The doped Al0.36Ga0.64N:Si photoluminescence spectrum shows that Si cations introduce new acceptor states.