| dc.contributor.advisor | Mārciņš, Guntis | en_US |
| dc.contributor.author | Bergmane, Jeļena | en_US |
| dc.contributor.other | Latvijas Universitāte. Fizikas un matemātikas fakultāte | en_US |
| dc.date.accessioned | 2015-03-24T07:36:21Z | |
| dc.date.available | 2015-03-24T07:36:21Z | |
| dc.date.issued | 2011 | en_US |
| dc.identifier.other | 20848 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://dspace.lu.lv/dspace/handle/7/19628 | |
| dc.description.abstract | arbā it pētītas rekristalizēta silīcija plāno kārtiņu elektrofizikālās īpašības atkarībā no rekristalizācijas procesa parametriem. Ir salīdzinātas tādas rekristalizācijas metodes kā lāzerkristalizācija un termiskā atkvēlināšana. Iegūtajām kārtiņām ir pētīts vairākum lādiņnesēju kustīgums un koncentrācija, kā arī veikti iegūto kārtiņu pretestības mērījumi.
Iegūto kārtiņu struktūras pētījumi veikti ar Ramana izkliedes spektroskopijas palīdzību, lai noteiktu kārtiņu kristalizācijas pakāpi. | en_US |
| dc.description.abstract | Polycrystalline silicon thin films electrophysical properties depending on the recrystallization process parameters have been studied. Such crystallization methods as thermal annealing and laser crystallization have been compered. Carrier mobility and concentration dependance of crystallization parameters have been compered.
Raman scattering spectra have been studiet to estimate film crystallinity and crystalline grain size. | en_US |
| dc.language.iso | N/A | en_US |
| dc.publisher | Latvijas Universitāte | en_US |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en_US |
| dc.subject | Fizika | en_US |
| dc.title | Rekristalizēta amorfa silīcija plāno kārtiņu elektrofizikālās īpašības | en_US |
| dc.title.alternative | Electrophysical properties of recrystallized amporphous silicon thin films | en_US |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/bachelorThesis | en_US |
