Plānu kārtiņu elektro optiskā koeficienta noteikšana ar vājinātās iekšējās atstarošanās metodi

Abstract

Mūsdienās strauji attīstās optisko tehnoloģiju nozīme datu pārraidē. Kā piemēru var minēt organisko materiālu, kuriem ir nelineāri optiskas (NLO) īpašības, ieviešanu telekomunikāciju tehnoloģijās. Viens no svarīgākajiem parametriem NLO materiālu raksturošanai ir tā elektro optiskais (EO) koeficients. Lai noteiktu NLO materiālu EO koeficientu, tika izmantota vājinātās iekšējās atstarošanās metodi. Vājinātās iekšējās atstarošanās metodes pielietošanu sarežģī tās būtiskās prasības pret materiāla sagatavošanu – to virsmām ir jābūt pēc iespējas gludākām, kā arī jāspēj nodrošināt optiska viļņa vadīšanas nosacījumus. Neskatoties uz to, tā ir viena no populārākajām metodēm plānu kārtiņu EO koeficienta noteikšanai. Darbā tiks apskatīti EO koeficienta mērījumu rezultāti plānām kārtiņām, kā arī sīkāk skaidrotas metodes priekšrocības un trūkumi.

Nowadays optical applications in data transmission expand rapidly. That includes organic material with nonlinear optical (NLO) properties promotion in telecommunication technologies. One of the most important characteristics of the NLO material is the electro optical (EO) coefficient. In order to determine EO coefficient of thin films, attenuated total reflection technique (ATR) was implemented. ATR is difficult to carry out because of the fundamental requirements of thin films - they must be smooth as possible and fulfill the optical waveguide conditions. Despite this, it is one of the most widely applied methods for determining EO coefficients of the material. This work will discuss the EO coefficient measurements of thin films using ATR technique, as well as detailed illustration of the advantages and disadvantages of this technique.