Now showing items 1-4 of 4

    • AlGaN cieto šķīdumu slāņu struktūru termoaktivācijas spektroskopija 

      Čubarovs, Mihails (Latvijas Universitāte, 2010)
      Darba mērķis bija izpētīt alumīnija gallija nitrīdu (AlGaN) cieto šķīdumu slāņu struktūru defektu/piemaisījumu termiskās aktivācijas parametrus, tādus, kā vidējā termiskā aktivācijas enerģija un vidējais frekvenču faktors. ...
    • Deitērija koncentrācijas profila pētījumi plazmu skarošos materiālos 

      Aizezers, Jānis (Latvijas Universitāte, 2009)
      Kodolsintēzes reaktoros galvenā problēma ir deitērija piemaisījumi, kas izraisa nestabilas plazmas veidošanos. Darbā, plazmu skarošo materiālu pētījumiem, tiek izmantota lāzera ablācijas spektroskopijas metode. Tā ļauj ...
    • Gallija nitrīda plāno kārtiņu iegūšana 

      Mārciņš, Guntis (Latvijas Universitāte, 2006)
      Nowadays epitaxial semiconductor applications are widely used in every day devices, therefore development of new high efficiency materials is essential. In this paper growth methods of epitaxial semiconductor hetrostructures ...
    • III grupas nitrīdu plāno kārtiņu spektrālās īpašības 

      Mozers, Artūrs (Latvijas Universitāte, 2008)
      Pusvadītājos, ievadot piemaisījumus, aizliegtajā zonā veidojas lokāli elektronu un caurumu stāvokļi. Šajā gadījumā elektroni un caurumi pēc ierosināšanas tiek saķerti uz donoru akceptoru piemaisījumiem. Pārejas starp šiem ...