Volframa pārklājumu termiska modificēšana detektēšanai ar infrasarkanās spektrometrijas metodi

Abstract

Volframa pārklājumu termiska modificēšana detektēšanai ar infrasarkanās spektrometrijas metodi. Goldmane A. E., zinātniskā vadītāja, pētniece, Avotiņa L. Bakalaura darbs, 36 lpp, 15 attēli, 4 tabulas, 56 literatūras avoti, 6 pielikumi. Latviešu valodā. Pusvadītāju tehnoloģijas mūsdienās lieto dažāda veida elektronikai. Materiālu atbilstību parametriem nosaka ražošanas gaitā – nepieciešams izstrādāt metodoloģiju to izvērtēšanai. Darbā veikta uz silīcija (Si) – silīcija dioksīda (SiO2) pamatnes sintezēta volframa (W) pārklājumu termiska modificēšana un izpēte ar FTIR, XRD, SEM-EDS metodi. Modificētu pārklājumu spektros ir papildus signāli 700-900 cm-1, kas attiecināmi uz W-skābekļa saitēm; kristalogrāfiskā struktūra uzrāda W trioksīda klātbūtni; SEM-EDS apstiprina virsmas slāņu izmaiņas. VOLFRAMS, PLĀNĀS KĀRTIŅAS, FTIR, SEM-EDS, TERMISKA MODIFICĒŠANA

Thermal modification of tungsten coatings for detection by infrared spectrometry method. Goldmane A. E., scientific supervisor, researcher, Avotiņa L. Bachelor work, 36 pages, 15 figures, 4 tables, 56 literature sources, 6 appendices. In Latvian. Semiconductor technology is for various types of electronics. Material parameters are determined during production, it is necessary to develop a methodology to assess their adequacy. In the present research tungsten (W) coatings synthesized on silicon (Si) – silica (SiO2) substrate are thermaly modified and analysed by FTIR, XRD SEM-EDS. In the modified layers additional bonds in range of 700-900 cm-1 occur – related to W-oxygen bonds; crytalographic analysis shows to presence of W trioxide, SEM-EDX confirms changes within films. TUNGSTEN, THIN FILMS, FTIR, SEM-EDS, THERMAL MODIFICATION