Pretestības un tranzistoru pusvadītāju nanovadu sensoru izveide gāzveida vielu analīzei - Bite, Ivita (Latvijas Universitāte, 2014)
Pretestības un tranzistoru pusvadītāju nanovadu sensoru izveide gāzveida vielu analīzei. Bite I., darba vadītājs Dr. Chem. Erts D. Bakalaura darbs, 44 lapas, 25 attēli, 1 tabulas, 41 literatūras avoti. Latviešu valodā. Darbā pētīti Bi2S3 nanovadi, kuru rādiuss ir 40 nm, kā arī Ge nanovadu elektrovadītspējas izmaiņas dažādos relatīvajos mitrumos un to izmantošanas iespējas sensoru veidošanā. Parādīts, ka atkarībā no relatīvā mitruma Bi2S3 nanovadiem n-tipa vadāmība var mainīties uz p-tipu un otrādi, kura varētu būt saistīta ar lādiņesēju līdzsvara koncentrācijām. Literatūras apskatā ir apkopota informācija par: nanovadu iegūšanas metodēm; nanovadu sensoru raksturlielumiem; nanovadu sensoru izveidi; gāzveida vielu sensoriem, kā arī par gaisa relatīvo mitrumu. GERMĀNIJS, BISMUTA SUFLĪDS, NANOVADI, GĀZVEIDA VIELU SENSORS, TRANZISTORS, REZISTORS.

Fabrication of resistance and tranzistor sensors for gas analyse applications. Bite I., scientific supervisor Dr. Chem. Erts D. Bachelor’s thesis, 44 pages, 25 figures, 1 tables, 41 literature references. In Latvian. In this work Bi2S3 nanowires with a radius of 40 nm were researched, also Ge nanowire conductivity at different relative humidity and the possible use of sensor development were researched. Bi2S3 nanowires n-type conductivity can change to the p-type and vice versa depending on relative humidity, which could be associated with charge carriers equilibrium concentrations. Literature review summerizes information about various methods of: nanowire synthesis; nanowire sensor establishment; characteristics of nanowire sensors; gas sensors of gaseous substances and relative humidity. GERMANIUM, BISMUTH SULFIDE, NANOWIRES, GAS SENSOR, TRANZISTOR, RESISTOR.
Fabrication of resistance and tranzistor semiconductor nanowire based gas sensor structures
Keywords: Ķīmija