Dopētu un nedopētu bismuta selenīda nanolaminātu veidošana un raksturošana

Abstract

Dopētu un nedopētu bismuta selenīdu nanolaminātu veidošana un raksturošana. Britāla L., zinātniskie vadītāji Dr. phys., vadošā pētniece Andžāne J., Dr. chem., asoc. prof. Erts D. Bakalaura darbs, -- lappuses, -- attēli, -- tabulas, -- literatūras avoti, -- pielikumi. Latviešu valodā. Šajā pētījumā tiek izstrādāta metode ar alvu dopētu un nedopētu Bi2Se3 ultraplānu kārtiņu, ar biezumu 10 nm, sintēzei uz grafēna virsmas. Secīgi sintezējot šādi strukturētus bismuta selenīda slāņus, uz grafēna pamatnes tiek izveidots nanolamināts, kurš sastāv no dopētām un nedopētām ultraplānām bismuta selenīda kārtiņām. Noteiktas šo nanolaminātu termoelektriskās īpašības un tos ietekmējošie faktori.Synthesis and characterisation of doped and pristine bismuth selenide nanolaminates. Britala L., supervisors Dr. phys., principal investigator Andžāne J., Dr. chem., asoc. prof. Erts D. Bachelor’s thesis, -- pages, -- figures, -- tables, -- literature references, -- appendices. In Latvian. In this work the method for the synthesis of tin-doped and pristine ultrathin, 10 nm tick, Bi2Se3 layers on grapene substrate. Sequential syntheses of such films leads to formation of pristine/doped nanolaminates. The thermoelectric properties and their influencing factors of the formed nanolaminates is studied.