Divdimensionālu materiālu heterostruktūru sintēze un raksturošana

Abstract

Divdimensionālu materiālu heterostruktūru sintēze un raksturošana. Terehovs A., Darba vadītāja Dr. chem., Gunta Kunakova. Bakalaura darbs, 55 lappuse, 28 attēls, 14 tabulas, 75 literatūras avoti, 2 pielikumi. Latviešu valodā. Bakalaura darbs ir veltīts WTe2 2D materiālu sintēzei uz Si/SiO2 un Si/SiO2/h-BN pamatnēm, izmantojot ķīmisko tvaika nogulsnēšanas (CVD) metodi. Darbā izpētīta sintēzes temperatūras, sintēzes laika, prekursora masas un sastāva, kā arī nejēgāzes plūsmas intensitātes un ūdeņraža pievadīšanas parametru ietekme optimālai WTe2 2D struktūru iegūšanai. Iegūtie paraugi raksturoti ar dažādām mikroskopijas metodēm - optisko, atomspēku un skenējošo elektronu mikroskopiju, kā arī Raman spektroskopiju. Uz sintēzē izmantotajām pamatnēm, neveicot sintezēto struktūru pārnešanu, izgatavotas WTe2 ierīces lādiņu nesēju transporta mērījumiem. Veikti lādiņnesēju transporta mērījumi.

Growth and characterization of two-dimensional material heterostructures. Terehovs A., supervisor Dr. chem. Gunta Kunakova. Bachelor's work, 55 pages, 28 figure, 14 table, 75 references, 2 appendices. In Latvian. The bachelor's thesis is devoted to the synthesis of WTe2 2D materials on Si/SiO2 and Si/SiO2/h-BN substrates using the chemical vapor deposition (CVD) method. The effects of growth temperature and time, W precursor mass and composition, as well as the intensity of the carrier gas and the temperature of the introduction of hydrogen gas on the obtained WTe2/h-BN heterostructures are investigated. The obtained samples were characterized by various microscopy methods such as optical, atomic force and electron microscopy, as well as Raman spectroscopy. WTe2 devices for charge carrier transport measurements were made on the substrates used in the synthesis, without transferring the synthesized structures. Measurements of charge carrier transport were carried out.