| dc.contributor.advisor | Muižnieks, Andris | en_US |
| dc.contributor.author | Lācis, Kaspars | en_US |
| dc.contributor.other | Latvijas Universitāte. Fizikas un matemātikas fakultāte | en_US |
| dc.date.accessioned | 2015-01-12T06:56:11Z | |
| dc.date.available | 2015-01-12T06:56:11Z | |
| dc.date.issued | 2010 | en_US |
| dc.identifier.other | 32584 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://dspace.lu.lv/dspace/handle/7/5185 | |
| dc.description | Elektroniskā versija nesatur pielikumus | en_US |
| dc.description.abstract | Anotācija
Darbs ir veltīts šķidruma kustības, temperatūras lauka un piemaisījumu pārneses
trīsdimensionālai (3D) nestacionārai matemātiskajai modelēšanai izkusušajā zonā
industriālajam peldošās zonas (PZ) silīcija monokristālu audzēšanas procesam ar papildus
pieliktiem maiņstrāvas un līdzstrāvas magnētiskajiem laukiem. Šiem mērķiem ir
izveidota noslēgta matemātisko modeļu un bezmaksas programmatūras sistēma.
Ir veikta kausējuma kustības ietekmes uz īpatnējās pretestības sadalījumu izaudzētā
kristālā maiņstrāvas un līdzstrāvas magnētisko lauku klātbūtnē 3D nestacionāra
modelēšana.
Tika pētīts nestacionārs kausējuma ātruma un kristāla augšanas ātruma fluktuāciju
process kristalizācijas frontes tuvumā. Tika analizēta šo fluktuāciju ietekme uz
piemaisījumu segregāciju un tādejādi uz īpatnējās pretestības izkliedi izaudzētajā kristālā.
Atslēgas vārdi: matemātiskā modelēšana, silīcija monokristāli, magnētiskais lauks | en_US |
| dc.description.abstract | Abstract
This work is devoted to three dimensional (3D) unsteady mathematical modeling of fluid motion,
temperature field and dopant transport in molten zone of industrial floating zone (FZ) silicon single
crystal growth process with additionally applied AC and DC magnetic fields. For these purposes a
complete system of mathematical models and license free software is developed.
The 3D unsteady modeling of the influence of the melt motion on distribution of resistivity in the
grown crystal in the presence of AC and DC magnetic fields is performed.
The unsteady melt velocity and crystal growth velocity fluctuation process near the crystallization
interface is studied. The influence of these fluctuations on the dopant segregation and consequently the
dispersion of the resistivity in the grown crystal is analyzed.
Keywords: mathematical modeling, silicon single crystals, magnetic field | en_US |
| dc.language.iso | N/A | en_US |
| dc.publisher | Latvijas Universitāte | en_US |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en_US |
| dc.subject | Fizika, astronomija un mehānika | en_US |
| dc.subject | Fizika | en_US |
| dc.subject | Fizika, materiālzinātne, matemātika un statistika | en_US |
| dc.title | Magnētisko lauku ietekmes uz kausējuma kustību 3D skaitliskā modelēšana peldošās zonas kristālu audzēšanas procesam | en_US |
| dc.title.alternative | 3D mathematical modeling of influence of magnetic fields on melt flow in floating zone crystal growth process | en_US |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/doctoralThesis | en_US |
