Pusvadītāju plāno kārtiņu iegūšana ar plazmas ķīmisko tvaiku uzklāšanas metodi un to īpašību izpēte

Abstract

Pusvadītāju plānās kārtiņas tiek plaši pielietotas daudzās mūsdienu elektroniskajās ierīcēs. Darbā aprakstīti plazmas ķīmisko tvaiku uzklāšanas metodes fizikālie pamati un izmantotās iekārtas uzbūve, kā arī apskatīti pusvadītāju plāno kārtiņu iegūšanas paņēmieni. Tika izpētīta iegūstamo plāno kārtiņu biezuma atkarība no uzklāšanas parametriem. Plāno kārtiņu kristāliskā struktūra tika pētīta ar rentgenstaru difrakcijas un Ramana spektroskopijas metodi. Darbā izklāstīti iegūto plāno kārtiņu pielietojumi Cietvielu fizikas institūtā un pētījumu tālākās perspektīvas.

Atslēgvārdi: PECVD, pusvadītāju plānās kārtiņas, XRD metode, Ramana spektroskopija.

Semiconductor thin films are widely used in many modern electronic devices. This thesis describes physical parameters of plasma chemical vapor deposition method and the structure of used, device and the techniques used to obtain semiconductor thin films. The thickness of the thin films is investigated in dependence on the deposition parameters. The structure of the thin films was studied by X-ray diffraction and Raman spectroscopy. This thesis describes the application of the obtained thin films at the Institute of Solid State Physics, and the future prospects for research.

Keywords: PECVD, semiconductor thin films, XRD method, Raman spectroscopy.