Gallija nitrīda plāno kārtiņu iegūšana
Abstract
Nowadays epitaxial semiconductor applications are widely used in every day devices, therefore development of new high efficiency materials is essential.
In this paper growth methods of epitaxial semiconductor hetrostructures by MOCVD are presented. Also some optical and electrical properties of such materials have been observed. Mūsdienās ar vien plašāk sadzīvē tiek izmantotas uz pusvadītāju materiāliem balstītas iekārtas. Viena šāda pusvadītāju iekārtu klase ir mājas elektronika, piemēram, datori un ar tiem saistītās tehnoloģijas, dažādi audio un video atskaņotāji, video un foto kameras, radioaparāti u.t.t. Otra būtiska klase ir dažādi optoelektriskie materiāli. Pie tiem jāpieskaita fotodiodes, gaismas diodes un diožu lāzeri.
Lielā pielietojumu skaita dēļ tiek pieprasītas arvien augstvērtīgākas pusvadītāju materiālu iekārtas, lai to pašu darbu varētu veikt efektīvāk un ar mazāku enerģijas patēriņu. Vadošās zinātniski pētnieciskās iestādes visā pasaulē nodarbojas ar jaunu pusvadītāju materiālu izstrādi un to īpašību izpēti.
Zinātniski pētniecisko un praktisko pielietojumu problemātika motivē jaunu injekcijas gaismas avotu izstrādi ultravioletajam spektra rajonam.
Pētījumu realizācijai nepieciešams risināt divu komplementāru problēmu kopu:
1. Plāno kārtiņu iegūšana relatīvi mazizpētītā ternāru un kvarternāru nitrīdu sastāvos un
2. Plāno kārtiņu fizikālo īpašību harakterizācija.
Šajā darbā ir veikts GaN plāno kārtiņu iegūšanas ar MOCVD metodi aprakats, un šādā veidā iegūtu paraugu optisko un fizikālu īpašību izpēte.