Nanostruktūru fizikālo īpašību raksturošana ar skenējošas zondes mikroskopu

Abstract

Skenējošas zondes mikroskopija ir viena no mūsdienu metodēm un ir plaši izmantojama nanozinātnē morfoloģijas pētījumos, fizikālu lauku un to sadalījumu mērīšanai, kā arī nanoobjektu manipulēšanā. Viens no daudzsološiem materiāliem pielietošanai nanotehnoloģijās ir nanovadi un to sakārtotās konfigurācijas. Šajā darbā ar skenējošās zondes mikroskopijas metodi ir raksturota īpatnējā pretestība individuāliem Sb2S3 pusvadītāju nanovadiem. Izveidotajiem paraugiem ir noteiktas voltampēru raksturlīknes, aprēķināta individuāla nanovada īpatnējā pretestība un novērtētas kontaktpretestības un analizēti to rašanās cēloņi. Darba laikā tika pilnveidota mērīšanas metodika trausliem un ar mazu adhēziju pie virsmas piesaistītiem nanovadiem. Pētījuma rezultāti var tikt izmantoti elektronisko un fotoelektronisko ierīču izveidošanai un raksturošanai.

Scanning probe microscopy has been one of up-to-date research methods over past years with wide applications in the nanoscale morphology, physical fields distribution measurements, and manipulations of nanostructures. Nanowires and ordered nanowires structures are important study direction in nanoscience and nanotechnology. Resistivity of individual Sb2S3 semiconductor nanowires have been initially described by acquiring I(V) curves. Furthermore, resistivities for individual nanowires were calculated and contact resistances were estimated and analyzed. A methodical instruction for working with fragile and weak adhesive nanowires attracted to a surface was improved. Research results can be used to design and characterize electronic and photoelectronic devices.