Show simple item record

dc.contributor.advisorŠmits, Krišjānisen_US
dc.contributor.authorZolotarjovs, Aleksejsen_US
dc.contributor.otherLatvijas Universitāte. Fizikas un matemātikas fakultāteen_US
dc.date.accessioned2015-03-24T08:44:06Z
dc.date.available2015-03-24T08:44:06Z
dc.date.issued2014en_US
dc.identifier.other42561en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.lu.lv/dspace/handle/7/25738
dc.description.abstractDarbā apskatītas termostimulētās un frakcionētās termoizspīdināšanas luminiscences metodes un to pielietojums oksīdu materiālu ķērājcentru izpētē. Izveidota iekārta un programmatūra termostimulētās luminiscence procesu praktiskai izpētei. Izstrādātā programmatūra nodrošina eksperimentālās iekārtas moduļu vadību, izvēlēto algoritmu realizēšanu un iegūto datu apstrādi. Veikta iekārtas un metodikas pārbaude eksperimentos ar ģermāniju aktivētā α-kvarca (SiO2:Ge) paraugiem. Paraugam novēroti divi TSL maksimumi pie 50K un 75K, kuriem iegūtās aktivācijas enerģijas ir 0,06eV un 0,123eV. Papildus tika aplūkota Ge koncentrācijas, ierosmes avota un apstarošanas laika ietekme uz termostimulētās luminiscences īpašībam. Petījumu rezultāti ne tikai apstiprināja iekārtas un metodikas korektu darbību, bet deva arī jaunu informāciju kvarca kristāla izpētē.en_US
dc.description.abstractThermostimulated luminescence (TSL) and fractional glow technique applications for electron trap research in oxide materials were studied. The complex of experimental setup was developed for TSL study, including full software package for operating various devices, applying predefined measurement algorithm and measured data analysis. The reliability of equipment was proved via TSL study of germanium doped α-quartz (SiO¬2:Ge). The two glowcurve peaks located at 50K and 75K were observed, activation energies were found 0,06eV and 0,123eV accordingly. In addition, the Ge concentration in sample, excitation source and irradiation time impact on luminescence properties were studied. Not only setup and method reliability was demonstrated, also new data of electron trap properties in quartz crystal were found.en_US
dc.language.isoN/Aen_US
dc.publisherLatvijas Universitāteen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectFizikaen_US
dc.titleTSL un frakcionētās izspīdināšanas metodes defektu stāvokļu izpētei oksīdu materiālosen_US
dc.title.alternativeTSL and fraction glow techniques for defect state studies in oxide materialsen_US
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisen_US


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record