Lādiņnesēju kustīguma noteikšana indandiona grupu saturošu AZO savienojumu plānās kārtiņās

Abstract

Vienas no lētākajām plānu kārtiņu iegūšanas metodēm ir liešanas metodes. Tādēļ mazmolekulārie savienojumi, kas veido amorfas struktūras plāna kārtiņas no šķīduma, ir perspektīvi organiskajā elektronikā. Šo vielu elektriskās īpašības ir svarīgas šādās ierīcēs. Viens no elektrisko īpašību būtiskiem parametriem ir lādiņnesēju kustīgums. Darba laikā ir izveidota iekārta lādiņnesēju caurplūdes laika mērījumiem un pētīts lādiņnesēju kustīgums indandiona grupu saturošu azobenzēna savienojumu plānās kārtiņās. Elektronu un caurumu kustīgums šajos materiālos ir attiecīgi no 10-5 līdz 10-6 cm2/Vs un no 10-6 līdz 10-7 cm2/Vs. Darbā ir parādīts, ka lādiņnesēju kustīgums ir atkarīgs no kārtiņā esošiem lamatu līmeņiem un molekulai pievienotās telpiskās grupas, kas palīdz veidot amorfas struktūras plānas kārtiņas no šķīduma.

Thin film deposition by solution casting method is one of low cost processing methods. Therefore, low molecular weight compounds that form amorphous structure from solution are perspective in organic electronics. Electrical properties of these compounds are important in such devices. One of the key parameter of electrical properties is charge carrier mobility. In this work set-up of Time of Flight measurement was build and charge carrier mobility in thin films of indandione fragment containing azobenzene compounds was studied. Electron and hole mobility of these materials is from 10-5 to 10-6 cm2/Vs and from 10-6 to 10-7 cm2/Vs, respectively. It is shown that charge carrier mobility depends on charge carrier traps in the film and bulky groups which are attached to molecule and assist formation of amorphous thin film from solution.