Nanostrukturētu salikto nitrīdu AlxGA1-xN luminescence

Abstract

Darbā ir pētīta trīskomponenšu materiāla AlxGa1-xN fotoluminiscence plānām kārtiņam, kas ir sintezētas Nacionālā Taivānas Universitātē. Ir zināms, ka AlN un GaN kopā veido cieto šķīdumu ar homogēnu kristālisko struktūru, un jauktā materiāla aizliegtās enerģijas zonas platums Eg ir atkarīgs no Al un Ga proporcijām materiālā (Al daudzumu raksturo x). Mainot šīs proporcijas, ir iespējams mainīt materiāla Eg un līdz ar to arī tā īpašības. Ar aizliegtās zonas platumu Eg ir tieši saistīta eksitonu (pamatvielas ierosinājumu) luminiscence. Tādēļ luminiscences mērījumi ļauj raksturot izveidotos trīskomponenšu materiālus un sniedz informāciju par materiālu Eg. Tiek pētīta AlxGa1-xN eksitonu luminiscence četriem paraugiem ar dažādām mazām x vērtībām, kas nepārsniedz 0.1. Pētījumi tiek veikti plašā temperatūru rajonā no 300 K līdz 10 K.

The aim of this work was to investigate of ternary AlxGa1-xN thin films photoluminescence spektra, synthesized in National Taiwan University. AlN and GaN being put together produce solid solution with homogeneous crystal structure and the width of the band gap Eg of this material is dependent on Al and Ga proportion (x characterizes amount of Al). By changing of this proportion it is possible to vary the width of the band gap Eg of material, consequently, its properties. Width of the band gap Eg directly influences luminescence of the bound exciton (intrinsic lattice excitation). In this way studies of luminescence allow characterization of ternary materials and provide information on the material band gap. Exciton luminescence samples with different small x values, not exceeding 0.1. The measurements are fulfilled in the broad temperature range 10 – 300 K.