Jonizējošā starojuma radītās optiskās absorbcijas izmaiņas PLZT keramikā

Abstract

Pētīta inducētā optiskā absorbcija PLZT keramikā. Īsi dzīvojošās absorbcijas pētījumi veikti paraugu ierosinot ar liela blīvuma elektronu kūļa impulsiem. Elektronu kūļa inducētā optiskā absorbcija reģistrēta temperatūras diapazonā no 90K līdz 700K. Reģistrēti arī rentgenstaru inducētās optiskās absorbcijas spektri. Noskaidrots, ka īsi dzīvojošās absorbcijas spektrs 1.0-3.0eV sastāv no daudzām absorbcijas joslām, no kurām galvenās ir ar maksimumiem pie E=1.45eV un E=2.3eV. Darbā diskutēti novēroto joslu cēloņi. Analizējot absorbcijas atkarību no temperatūras, novērtēta absorbcijas centru stabilitāte, noskaidrots, ka daļa absorbcijas centri ir ļoti stabili. Novērota īsi dzīvojošās absorbcijas augšana pēc elektrona kūļa impulsa beigām, kas norāda uz lādiņnesēju migrāciju līdz tie tiek saķerti par absorbciju atbildīgajos ķērājcentros.

The induced optical absorption in PLZT ceramics 10/65/35 was studied. Short-lived absorption studies were performed by irradiating samples with high-density electron beam pulses. Electron beam induced absorption was registered within temperature range from 90K to 700K. X-ray induced absorption spectra were registered as well. The measured short-lived absorption spectrum over 1.0-3.0eV range consists of several overlapping bands, the main ones are peaking at E = 1.45eV and 2.3eV. The possible origin of observed bands is discussed. We estimated the stability of absorption centers and observed that some absorption centers are very stable. The growth of short-lived absorption was delayed relative to electron beam pulse which indicates charge carrier migration takes place before trapping at centers responsible for the absorption.