DMABI savienojuma un tā atvasinājumu plāno kārtiņu elektriskās īpašības

Abstract

Maģistra darba gaitā tika pētīts dimetilaminobenzilidēn-1,3-indandions (DMABI) un trīs tā atvasinājumi. Daļa no savienojumiem veido polikristāliskas kārtiņas, savukārt otra daļa veido amorfas plānās kārtiņas no šķīduma. Atkarībā no savienojuma veidotās kārtiņas struktūras, tika izvēlēta paraugu pagatavošanas metode: paraugi tika veidoti ar rotējošā diska un sublimēšanas vakuumā metodi. Iegūto kārtiņu molekulu jonizācijas enerģija tika noteikta ar fotoemisijas kvantu iznākuma spektroskopijas metodi. Molekulas jonizācijas enerģijas un elektronu afinitātes enerģijas starpība tika noteikta no fotovadāmības sliekšņa vērtības. No iegūtās molekulu jonizācijas enerģijas un fotovadāmības sliekšņa vērtības tika noteikta elektronu afinitātes līmeņa vērtība. Tika konstatēts, ka pievienotās telpiskās grupas minimāli ietekmē elektronu pārejas molekulā, bet rada lielāku ietekmi uz molekulu enerģētiskiem līmeņiem. Tika izmērītas paraugu voltampēru raksturlīknes. Lādiņnesēju kustīguma noteikšanai tika pielietota lādiņnesēju caurplūdes laika metode, ar kuras palīdzību noteiktais DMABI-6Ph un DMABI-Si-6Ph caurumu kustīgums ir ar kārtu 10-7 cm2/V∙s, bet DMABI-6Ph elektronu kustīgums ar kārtu 10-6 cm2/V∙s, kas ir par kārtu lielāks par caurumu kustīgumu. Eksperimentāli tika konstatēts, ka, variējot elektrodu platumu, ir iespējams mainīt elektriskā lauka intensitātes vērtības, pie kurām var tikt noteikts lādiņnesēju kustīgums.

In the master's work was studied dimetilaminobenzylidene-1,3-indandione (DMABI) and three derevates of it. Part of them can form a thin amourphous layer from liquid while the others form polycrystalline thin films. Therefore thin films were created by spin coating and thermal evaporation in vaccum methodes. The ionization energy of the thin layer from studied molecules was obtained with photoemission quantum yield spectroscopy method. The gap between molecule ionization energy and electron affinity energy was determined from the photo conduction threshold value. It was found that the added spatial groups has minimal impact on the electron transfer in the molecule, but a greater impact on the molecules energy levels. Charge carrier mobility was determined Time of Filght method. DMABI-6Ph and DMABI-Si-6Ph hole mobility is of the order of 10-7 cm2/V∙s, but DMABI-6Ph electron mobility of the order of 10-6 cm2/V∙s, which is an order of magnitude higher than the hole mobility. Experimentally was found that charge carrier mobility could be determined in broader electric field intensity range if varying width of the electrode.